STF10NM60N Transistor MOSFET N-Channel 600 V 10 A TO-220FP – STMicroelectronics
STF10NM60N Transistor MOSFET N-Channel 600 V 10 A TO-220FP – STMicroelectronics
STF10NM60N Transistor MOSFET N-Channel 600 V 10 A TO-220FP – STMicroelectronics
STF10NM60N Transistor MOSFET N-Channel 600 V 10 A TO-220FP – STMicroelectronics

STF10NM60N Transistor MOSFET N-Channel 600 V 10 A TO-220FP – STMicroelectronics

₡ 2 000

(Impuestos incluidos)
MOSFET de potencia N-Channel STF10NM60N 600 V 10 A TO-220FP de STMicroelectronics, con baja RDS(on) y alta eficiencia, ideal para SMPS, PFC e inversores industriales.

Ficha Técnica: Ver hoja de datos

Fabricante: STMicroelectronics


Descripción del producto: El STF10NM60N de STMicroelectronics es un MOSFET de potencia de canal N perteneciente a la familia MDmesh II, diseñado para ofrecer un rendimiento superior en aplicaciones de conmutación de alta tensión. Con una tensión de ruptura de 600 V, una resistencia RDS(on) típica de 530 mΩ y una corriente de drenaje máxima de 10 A, este dispositivo proporciona una excelente eficiencia energética y baja disipación de calor. Su encapsulado aislado TO-220FP permite un montaje seguro y compacto, ideal para fuentes de alimentación conmutadas (SMPS) y convertidores industriales.

Características principales:
• Tipo: MOSFET de canal N de potencia
• Tecnología: MDmesh II, optimizada para alta frecuencia
• Tensión de drenaje-fuente (VDS): 600 V
• Corriente de drenaje continua (ID): 10 A (a 25 °C), 5 A (a 100 °C)
• Resistencia RDS(on): 530 mΩ típica @ VGS = 10 V
• Carga total de compuerta (Qg): 19 nC
• Energía de avalancha única (EAS): 200 mJ
• Encapsulado: TO-220FP completamente aislado
• Potencia total disipada: 25 W @ TC = 25 °C
• PSRR típico (dv/dt máx.): 15 V/ns
• Rango de temperatura de operación: -55 °C a +150 °C

Aplicaciones comunes:
1. Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS) para televisores, monitores y sistemas industriales.
2. Convertidores de energía y etapas PFC (Power Factor Correction).
3. Inversores solares, cargadores de batería y UPS compactos.
4. Fuentes auxiliares en sistemas de control de potencia.

Componentes sustitutos:
• STF11NM60N – MOSFET similar con menor RDS(on).
• IRF840 (Infineon) – alternativa económica de 8 A / 500 V.
• STP10NK60ZFP – versión equivalente no aislada TO-220.

Productos relacionados:
• Diodo rápido UF4007 – protección contra transitorios inversos.
• Optoacoplador PC817 – aislamiento de control PWM.
• Controlador PWM UC3842 – ideal para SMPS basadas en el STF10NM60N.

Resumen técnico:
El STF10NM60N combina la eficiencia del proceso MDmesh II con una capacidad de conmutación rápida y pérdidas mínimas, lo que lo convierte en una solución de alto rendimiento para convertidores de potencia. Su encapsulado aislado TO-220FP elimina la necesidad de mica o aislamiento adicional en el montaje, simplificando el diseño térmico y mecánico.


Aviso importante: Las descripciones de este producto han sido generadas mediante inteligencia artificial (IA) basadas en la información proporcionada por el fabricante. Trabajamos continuamente para ofrecer la mayor precisión posible. Recomendamos verificar los detalles técnicos en la hoja de datos oficial del fabricante antes de realizar cualquier compra de este producto.