N‑Channel Power MOSFET 600 V 10 A TO‑220FP
₡ 2 000
(Impuestos incluidos)
Descripción: Este transistor STP10NK60ZFP MOSFET de potencia canal N de STMicroelectronics ofrece una alta tensión de ruptura de 600 V y corriente continua de hasta 10 A, con una resistencia en conducción típica de 0.53 Ω (VGS = 10 V, ID = 4 A). Fabricado con tecnología MDmesh™ II, destaca por su baja carga de puerta y entrada, y está 100 % probado ante avalanchas. Montado en encapsulado TO‑220FP de montaje a través de orificio, soporta disipación de potencia continua de hasta 25 W (a TC).
Aplicaciones: Ideal para fuentes conmutadas de alta eficiencia, control de motores, inversores solares y convertidores de potencia.
Proyectos sugeridos:
• Convertidor CC‑CC para batería Li‑ion de 48 V a 12 V
• Controlador de motor DC de alto voltaje (hasta 600 V)
• Inversor para paneles solares domésticos.
Componentes sustitutos: Puedes considerar el STD10NM60N (similar en DPAK), el STP10NM60N (en TO‑220) o el STU10NM60N (en IPAK), todos compatibles en muchos diseños con similar rendimiento.
Productos relacionados:
• Resistencia de gate: 10 Ω serie para amortiguar transiciones rápida.
• Diodo Schottky (ej. MBR6045) conectado entre drenaje y fuente para reducir picos inductivos.
• Condensador de desacoplo: 100 nF 100 V entre gate y fuente para estabilidad de gate.
Aviso importante: Las descripciones de este producto han sido generadas mediante inteligencia artificial (IA) basadas en la información proporcionada por el fabricante. Trabajamos continuamente para ofrecer la mayor precisión posible. Recomendamos verificar los detalles técnicos en la hoja de datos oficial del fabricante antes de realizar cualquier compra de este producto.
