MOSFET N-Channel 55 V 169 A TO-220 – Infineon Technologies
₡ 1 219
(Impuestos incluidos)
Descripción del producto: MOSFET de canal N de potencia, fabricado por Infineon Technologies, ideal para aplicaciones de conmutación de alta corriente y baja tensión. Su encapsulado TO‑220 permite montaje Through-Hole con alta capacidad de disipación térmica, lo que lo hace adecuado para diseños de conversión de potencia, control de motores y fuentes conmutadas.
Características técnicas:
• Tipo: N‑Channel, modo de mejora (enhancement mode)
• Tensión drenaje-fuente (Vds): 55 V
• Corriente de drenaje continua (Id): 169 A
• Resistencia Rds(on): 5.3 mΩ
• Tensión umbral de puerta (Vgs(th)): 2 V
• Tensión puerta-fuente (Vgs): ±20 V
• Carga de puerta (Qg): 170 nC
• Disipación máxima (Pd): 330 W
• Encapsulado: TO‑220-3
• Estilo de montaje: Through-Hole
• Temperatura de trabajo: −55 °C a +175 °C
• Configuración: Single
• Empaque: Tube
Aplicaciones comunes:
• Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS)
• Controladores de motores DC
• Etapas de salida de potencia
• Inversores y cargadores de baterías
Componentes relacionados:
• Diodo Schottky para protección de retorno
• Driver de compuerta MOSFET
• Disipador de calor para TO‑220
Aviso importante: Las descripciones de este producto han sido generadas mediante inteligencia artificial (IA) basadas en la información proporcionada por el fabricante. Trabajamos continuamente para ofrecer la mayor precisión posible. Recomendamos verificar los detalles técnicos en la hoja de datos oficial del fabricante antes de realizar cualquier compra de este producto.