IRF640NPBF MOSFET N-Channel 200V 18A TO-220-3 - Infineon
₡ 1 474
(Impuestos incluidos)
Descripción del producto: El IRF640NPBF de Infineon Technologies es un MOSFET de canal N diseñado para aplicaciones de conmutación y potencia. Con una tensión drenaje-fuente de hasta 200 V y una corriente de drenaje continua de 18 A, este dispositivo combina robustez y eficiencia. Su baja resistencia Rds(on) de 150 mΩ y rápida velocidad de conmutación lo hacen ideal para sistemas de conversión de energía y control de cargas de potencia.
Características principales:
• Tecnología: MOSFET de potencia Si
• Polaridad: N-Channel
• Vds máximo: 200 V
• Id continuo: 18 A
• Rds(on): 150 mΩ
• Vgs: ±20 V
• Umbral Vgs(th): 2 V
• Carga de compuerta Qg: 44.7 nC
• Disipación máxima de potencia: 150 W
• Temperatura de operación: -55 °C a +175 °C
• Encapsulado: TO-220-3 (Through Hole)
• Configuración: Single N-Channel
• Transconductancia mínima: 6.8 S
• Tiempos de conmutación: encendido 10 ns, apagado 23 ns, subida 19 ns, caída 5.5 ns
Aplicaciones comunes:
1. Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS)
2. Amplificadores de audio clase D
3. Controladores de motor y etapas de potencia
4. Inversores y sistemas de conversión DC-DC
Componentes sustitutos:
• IRF630NPBF (200 V, 9 A)
• STP75NF75 (75 V, 80 A)
• IRFP240 (200 V, 20 A)
Productos relacionados:
• MOSFET P-Channel IRF9540PBF
• Drivers de compuerta para MOSFET
• Diodos de potencia ultrarrápidos
Aviso importante: Las descripciones de este producto han sido generadas mediante inteligencia artificial (IA) basadas en la información proporcionada por el fabricante. Trabajamos continuamente para ofrecer la mayor precisión posible. Recomendamos verificar los detalles técnicos en la hoja de datos oficial del fabricante antes de realizar cualquier compra de este producto.
