IRF530NPBF MOSFET N-Channel 100V 17A TO-220-3 - Infineon
₡ 672
(Impuestos incluidos)
Descripción del producto: El IRF530NPBF de Infineon Technologies es un MOSFET de canal N diseñado para aplicaciones de conmutación y control de potencia. Ofrece una tensión drenaje-fuente máxima de 100 V y una corriente de drenaje continua de 17 A, con una resistencia Rds(on) de solo 90 mΩ. Su encapsulado TO-220-3 facilita el montaje en aplicaciones de potencia con disipador.
Características principales:
• Tecnología: MOSFET de potencia Si
• Polaridad: N-Channel
• Vds máximo: 100 V
• Id continuo: 17 A
• Rds(on): 90 mΩ
• Vgs: ±20 V
• Umbral Vgs(th): 4 V
• Carga de compuerta Qg: 24.7 nC
• Disipación máxima de potencia: 79 W
• Temperatura de operación: -55 °C a +175 °C
• Encapsulado: TO-220-3 (Through Hole)
• Configuración: Single N-Channel
Aplicaciones comunes:
1. Fuentes de alimentación conmutadas
2. Control de motores DC
3. Convertidores DC-DC
4. Inversores y sistemas de energía solar
Componentes sustitutos:
• IRF540NPBF (100 V, 33 A)
• IRFZ44N (55 V, 49 A)
• STP55NF06 (60 V, 55 A)
Productos relacionados:
• MOSFET P-Channel IRF9540PBF
• Drivers de compuerta MOSFET
• Diodos rápidos de potencia"
Aviso importante: Las descripciones de este producto han sido generadas mediante inteligencia artificial (IA) basadas en la información proporcionada por el fabricante. Trabajamos continuamente para ofrecer la mayor precisión posible. Recomendamos verificar los detalles técnicos en la hoja de datos oficial del fabricante antes de realizar cualquier compra de este producto.
