IRF520NPBF MOSFET N-Channel 100V 9.7A TO-220-3 - Infineon
₡ 656
(Impuestos incluidos)
Descripción del producto: El IRF520NPBF de Infineon Technologies es un MOSFET de canal N en encapsulado TO-220-3, diseñado para aplicaciones de conmutación de potencia de nivel medio. Soporta una tensión drenaje-fuente de hasta 100 V y una corriente de drenaje continua de 9.7 A, con una resistencia Rds(on) de 200 mΩ. Es un transistor confiable para control de cargas, fuentes conmutadas y proyectos de electrónica de potencia.
Características principales:
• Tecnología: MOSFET de potencia Si
• Polaridad: N-Channel
• Vds máximo: 100 V
• Id continuo: 9.7 A
• Rds(on): 200 mΩ
• Vgs: ±20 V
• Umbral Vgs(th): 4 V
• Carga de compuerta Qg: 16.7 nC
• Disipación máxima de potencia: 48 W
• Temperatura de operación: -55 °C a +175 °C
• Encapsulado: TO-220-3 (Through Hole)
• Configuración: Single N-Channel
Aplicaciones comunes:
1. Control de motores de baja/mediana corriente
2. Fuentes de alimentación conmutadas
3. Reguladores DC-DC
4. Cargas resistivas e inductivas en sistemas industriales y educativos
Componentes sustitutos:
• IRF530NPBF (100 V, 17 A, Rds(on) 90 mΩ)
• IRF540NPBF (100 V, 33 A, Rds(on) 44 mΩ)
• STP55NF06 (60 V, 55 A)
Productos relacionados:
• MOSFET P-Channel IRF9540PBF
• Drivers de compuerta MOSFET
• Módulos de control PWM
Aviso importante: Las descripciones de este producto han sido generadas mediante inteligencia artificial (IA) basadas en la información proporcionada por el fabricante. Trabajamos continuamente para ofrecer la mayor precisión posible. Recomendamos verificar los detalles técnicos en la hoja de datos oficial del fabricante antes de realizar cualquier compra de este producto.
