IRF3205PBF MOSFET N-Channel 55V 110A TO-220-3 - Infineon

₡ 1 444

(Impuestos incluidos)

Infineon IRF3205PBF: MOSFET N-Channel de potencia en encapsulado TO-220-3. 55 V, 110 A, baja Rds(on), eficiente para aplicaciones de potencia. Ideal para fuentes conmutadas y controladores de motor.

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Fabricante: Infineon Technologies

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Descripción del producto: El IRF3205PBF de Infineon Technologies es un MOSFET de canal N de alta eficiencia y baja resistencia Rds(on), ideal para aplicaciones de conmutación de potencia. Con una capacidad de corriente de drenaje continua de 110 A y una tensión drenaje-fuente máxima de 55 V, este transistor garantiza un excelente rendimiento en fuentes conmutadas, controladores de motor y sistemas de conversión DC-DC.

Características principales:
• Tecnología: MOSFET de potencia Si
• Polaridad: N-Channel
• Vds máximo: 55 V
• Id continuo: 110 A
• Rds(on): 8 mΩ
• Vgs: ±20 V
• Umbral Vgs(th): 2 V
• Carga de compuerta Qg: 97.3 nC
• Disipación máxima de potencia: 200 W
• Temperatura de operación: -55 °C a +175 °C
• Encapsulado: TO-220-3 (Through Hole)
• Configuración: Single N-Channel

Aplicaciones comunes:
1. Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS)
2. Controladores de motor de corriente continua
3. Sistemas de conversión DC-DC
4. Etapas de potencia en inversores

Componentes sustitutos:
• IRF3205 (55 V, 110 A)
• STP75NF75 (75 V, 80 A)
• IPP110N20N3 (200 V, 110 A)

Productos relacionados:
• MOSFET P-Channel IRF9540PBF
• Drivers de compuerta para MOSFET
• Diodos Schottky de potencia

Aviso importante: Las descripciones de este producto han sido generadas mediante inteligencia artificial (IA) basadas en la información proporcionada por el fabricante. Trabajamos continuamente para ofrecer la mayor precisión posible. Recomendamos verificar los detalles técnicos en la hoja de datos oficial del fabricante antes de realizar cualquier compra de este producto.