IRF2805PBF MOSFET N-Channel 55V 175A TO-220-3 - Infineon

Descripción del producto: El MOSFET IRF2805PBF de Infineon Technologies es un transistor de canal N de alto rendimiento, diseñado para aplicaciones de conmutación de potencia. Con una tensión de drenaje-fuente de hasta 55 V y una corriente de drenaje continua de 175 A, este dispositivo ofrece baja resistencia Rds(on) de tan solo 4.7 mΩ, lo que garantiza eficiencia y mínima disipación de energía.

Características principales:
• Tecnología: MOSFET de potencia Si
• Polaridad: N-Channel
• Vds máximo: 55 V
• Id continuo: 175 A
• Rds(on): 4.7 mΩ
• Vgs: ±20 V
• Umbral Vgs(th): 4 V
• Carga de compuerta Qg: 150 nC
• Disipación máxima de potencia: 330 W
• Temperatura de operación: -55 °C a +175 °C
• Encapsulado: TO-220-3 (Through Hole)
• Configuración: Single N-Channel
• Tiempo de encendido típico: 14 ns
• Tiempo de apagado típico: 68 ns
• Tiempo de subida: 120 ns
• Tiempo de caída: 110 ns
• Transconductancia mínima: 91 S

Aplicaciones comunes:
1. Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS)
2. Controladores de motor de alta corriente
3. Sistemas de conversión DC-DC
4. Etapas de potencia en inversores

Componentes sustitutos:
• IRF3205 (55 V, 110 A)
• STP75NF75 (75 V, 80 A)
• IPP110N20N3 (200 V, 110 A)

Productos relacionados:
• MOSFET P-Channel complementario
• Drivers de compuerta para MOSFET
• Diodos Schottky de potencia

Aviso importante: Las descripciones de este producto han sido generadas mediante inteligencia artificial (IA) basadas en la información proporcionada por el fabricante. Trabajamos continuamente para ofrecer la mayor precisión posible. Recomendamos verificar los detalles técnicos en la hoja de datos oficial del fabricante antes de realizar cualquier compra de este producto.