IGBT STGW40V60DF 600 V 80A TO‑247 – STMicroelectronics
₡ 4 210
(Impuestos incluidos)
Descripción del producto: El STGW40V60DF es un transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) de la serie V de STMicroelectronics, diseñado para conmutación de alta velocidad y eficiencia en convertidores de alta frecuencia. Incorpora una estructura avanzada trench gate con tecnología field-stop que optimiza la relación entre pérdidas de conducción y de conmutación.
Características principales:
• Tensión colector-emisor: 600 V
• Corriente de colector continua: 80 A
• VCE(sat): 2.35 V típica
• Rango de temperatura: -55 °C a +175 °C
• Disipación máxima de potencia: 283 W
• Encapsulado TO‑247 para montaje Through-Hole
• Tensión de compuerta: ±20 V
• Corriente de fuga puerta-emisor: 250 nA
Aplicaciones comunes:
1. Inversores solares de alta eficiencia
2. Sistemas UPS (fuente de alimentación ininterrumpida)
3. Controladores de corrección del factor de potencia (PFC)
4. Equipos de soldadura y cargadores industriales
Componentes sustitutos:
• STGFW40V60DF (versión aislada)
• IRG4PC50W (International Rectifier)
• FGA40N60SMD (onsemi)
Productos relacionados:
• Diodo de recuperación rápida STTH2002CT
• Driver de compuerta IR2110
• Disipador TO‑247 universal con clip de montaje
Aviso importante: Las descripciones de este producto han sido generadas mediante inteligencia artificial (IA) basadas en la información proporcionada por el fabricante. Trabajamos continuamente para ofrecer la mayor precisión posible. Recomendamos verificar los detalles técnicos en la hoja de datos oficial del fabricante antes de realizar cualquier compra de este producto.