MOSFET N-Channel de Señal Pequeña | 60V, 200mA, RDS(ON) 5?
₡ 451
(Impuestos incluidos)
El transistor de efecto de campo de modo de mejora N-Channel 2N7000 de onsemi es un componente fundamental para aplicaciones de señal pequeña y conmutación rápida. Fabricado utilizando la tecnología DMOS de alta densidad celular de ON Semiconductor, este MOSFET está diseñado para minimizar la resistencia en estado de conducción, proporcionando un rendimiento robusto, confiable y de conmutación rápida. Con una tensión de ruptura de drenaje-fuente (Vds) de 60V y una corriente continua de drenaje (Id) de 350 mA, este MOSFET es ideal para aplicaciones de baja tensión y baja corriente.
Características Principales:
- Tecnología: Si
- Montaje: Through Hole
- Encapsulado: TO-92-3
- Polaridad del Transistor: N-Channel
- Número de Canales: 1 Canal
- Vds - Voltaje de Ruptura Drenaje-Fuente: 60 V
- Id - Corriente Continua de Drenaje: 350 mA
- Rds On - Resistencia Drenaje-Fuente: 5 Ohms
- Vgs - Voltaje de Puerta-Fuente: -20 V, +20 V
- Vgs th - Voltaje Umbral de Puerta-Fuente: 800 mV
- Pd - Disipación de Potencia: 400 mW
- Modo del Canal: Enhancement
- Peso Unitario: 453.600 mg
Aplicaciones:
- Control de Pequeños Servomotores
- Drivers de Puerta para MOSFET de Potencia
- Aplicaciones Variadas de Conmutación
Componentes sustitutos:
- 2N7002
- IRLZ44N
- BS170
Productos relacionados:
- Condensadores de Tantalio 10uF 16V: Utilizados para el desacoplo y filtrado en aplicaciones de baja tensión.
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- Diodos Schottky 1N5819: Se conectan en paralelo para protección contra picos de tensión inversa.
Aviso importante: Las descripciones de este producto han sido generadas mediante inteligencia artificial (IA) basadas en la información proporcionada por el fabricante. Trabajamos continuamente para ofrecer la mayor precisión posible. Recomendamos verificar los detalles técnicos en la hoja de datos oficial del fabricante antes de realizar cualquier compra de este producto.
