2N4922G
2N4922G

Bipolar Transistors - BJT 3A 60V 30W NPN

₡ 873

(Impuestos incluidos)
El transistor bipolar NPN 2N4922 de onsemi es un componente versátil diseñado para aplicaciones de conmutación y amplificación de señal en circuitos electrónicos. Con una corriente máxima de colector de 3A y un voltaje de colector-emisor (VCEO) de 60V, es ideal para controlar cargas medianas en sistemas electrónicos de potencia. Su encapsulado TO-225-3 permite un montaje en orificio pasante (Through Hole), lo que facilita su integración en placas de circuito impreso (PCB). Este transistor tiene una alta disipación de potencia de hasta 30W, con un voltaje de saturación colector-emisor de solo 600 mV, proporcionando eficiencia energética y un funcionamiento confiable. Además, cuenta con una ganancia de corriente continua (hFE) mínima de 40 y un ancho de banda de 3 MHz, lo que lo hace adecuado para aplicaciones de frecuencia baja y media.

Fabricante: Onsemi

Descripción: El transistor bipolar NPN 2N4922 de onsemi es un componente esencial en aplicaciones de conmutación y amplificación de potencia media. Este transistor está diseñado para montaje a través del orificio (Through Hole) y viene en un encapsulado TO-225-3, ideal para diversas aplicaciones electrónicas de alta potencia. Con una corriente máxima de colector de 3 A y una tensión de colector-emisor de 60 V, este transistor ofrece una excelente capacidad de operación segura y confiabilidad. Fabricado con tecnología de silicio (Si), el 2N4922 proporciona un rendimiento de baja tensión de saturación y excelente disipación de potencia.

Características Principales:
- Polarity: NPN
- Configuración: Single
- Máxima Corriente de Colector DC: 3 A
- Voltaje de Colector-Emisor (VCEO) Máximo: 60 V
- Voltaje de Colector-Base (VCBO): 60 V
- Voltaje de Emisor-Base (VEBO): 5 V
- Voltaje de Saturación Colector-Emisor: 600 mV
- Disipación de Potencia (Pd): 30 W
- Producto de Ganancia en Ancho de Banda (fT): 3 MHz
- Rango de Temperatura de Operación: -65 °C a +150 °C
- Ganancia de Corriente DC hFE Mínima: 40
- Peso Unitario: 680 mg

Aplicaciones:
- Circuitos de conmutación
- Amplificadores de potencia media
- Circuitos de driver

Componentes sustitutos:
- TIP31C
- BD139
- 2N3055

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