Diodo de Conmutación de Señal Baja 1N914 DO-35 75V 200mA - Microchip Technology
₡ 913
(Impuestos incluidos)
Descripción del producto: Diodo de conmutación rápida 1N914 fabricado por Microchip Technology, diseñado para aplicaciones de señal baja. Ofrece una tensión inversa máxima de 75 V, corriente directa de 200 mA y un tiempo de recuperación de 5 ns, lo que lo convierte en una excelente opción para circuitos de alta velocidad y baja potencia.
Características principales:
• Tensión inversa máxima (Vr): 75 V
• Corriente directa máxima (If): 200 mA
• Sobrecorriente máxima: 2 A
• Tensión directa (Vf): 1.2 V
• Corriente inversa máxima (Ir): 5 µA
• Tiempo de recuperación inversa: 5 ns
• Encapsulado: DO-35-2 (Through Hole)
• Configuración: Single
• Dimensiones: 4.57 mm (Largo)
• Peso unitario: 137 mg
• Rango de temperatura de operación: -65 °C a +175 °C
Aplicaciones comunes:
1. Rectificación de señal en circuitos de alta velocidad.
2. Conmutación en etapas de control de baja potencia.
3. Protección de circuitos sensibles en aplicaciones electrónicas.
Componentes sustitutos:
• 1N4148 (según requerimientos de corriente).
• Nexperia BAS16.
Productos relacionados:
• Resistencias de precisión para limitar corriente.
• Capacitores cerámicos para desacoplo de señal.
• Transistores de propósito general para conmutación complementaria.
Aviso importante: Las descripciones de este producto han sido generadas mediante inteligencia artificial (IA) basadas en la información proporcionada por el fabricante. Trabajamos continuamente para ofrecer la mayor precisión posible. Recomendamos verificar los detalles técnicos en la hoja de datos oficial del fabricante antes de realizar cualquier compra de este producto.
